Samsung y SK Hynix están modernizando sus grandes fábricas de memoria en China para producir chips NAND mucho más avanzados, una carrera industrial impulsada por la demanda de almacenamiento para inteligencia artificial y condicionada por los controles tecnológicos de Estados Unidos.
Más de 200 capas dentro de China
Samsung Electronics está actualizando su planta de Xi’an para fabricar memoria NAND V9 de 286 capas, mientras SK Hynix avanza en Dalian hacia chips de unas 240 capas y generaciones posteriores. Reuters informó este 21 de octubre, citando a cuatro personas familiarizadas con los planes, que ambas compañías buscan preservar su competitividad frente al rápido avance de fabricantes chinos y responder al crecimiento de la demanda asociada a centros de datos e inteligencia artificial.
La memoria NAND almacena datos incluso cuando un dispositivo deja de recibir energía y constituye una pieza esencial de las unidades de estado sólido utilizadas en servidores, centros de datos, teléfonos y computadoras. Aumentar el número de capas permite concentrar más capacidad de almacenamiento en un espacio reducido y mejorar la eficiencia de fabricación.
La IA empuja una batalla industrial
El movimiento llega mientras la industria mundial de semiconductores atraviesa una expansión vinculada al enorme consumo de infraestructura para inteligencia artificial. Las compañías surcoreanas no solo compiten entre sí: también enfrentan a Yangtze Memory Technologies, que ha avanzado rápidamente en memorias NAND de alta densidad dentro del mercado chino.
La modernización no implica simplemente producir más obleas. El objetivo es fabricar generaciones tecnológicamente superiores en instalaciones existentes, una distinción crucial en medio de las restricciones estadounidenses sobre la exportación a China de determinadas máquinas para fabricar semiconductores.
Washington controla una pieza de la ecuación
Samsung y SK Hynix dependen de equipos especializados de proveedores estadounidenses para parte de sus procesos. Las reglas de exportación obligan a gestionar autorizaciones para introducir determinadas herramientas avanzadas en sus fábricas chinas. Ambas empresas sostienen que sus planes se desarrollan dentro de esas normas.
La tensión ya era visible antes del anuncio. Reuters informó el 15 de octubre que SK Hynix buscaba autorización estadounidense para instalar nuevo equipamiento en Dalian mientras estudiaba una futura fábrica NAND en Estados Unidos. En agosto, Reuters también había revelado que Samsung y SK Hynix evaluaban equipos chinos como cobertura frente al riesgo de restricciones adicionales.
Una carrera que trasciende a los teléfonos
El trasfondo es mayor que el mercado de electrónica de consumo. La capacidad para fabricar memorias avanzadas determina cuánto almacenamiento rápido puede desplegarse en centros de datos, sistemas de inteligencia artificial y servicios en la nube. Por eso, cada nueva generación de NAND se ha convertido también en una pieza de la competencia tecnológica entre Estados Unidos y China.
Samsung y SK Hynix intentan conservar el valor de instalaciones multimillonarias construidas en China sin quedar atrapadas tecnológicamente por las restricciones. Pekín, al mismo tiempo, acelera el desarrollo de proveedores nacionales. La carrera por apilar más capas en un chip termina así convertida en otra frontera de la disputa por quién controla la infraestructura física de la inteligencia artificial.
